
Plaques de Refroidissement à Structures Internes
Refroidisseurs liquides avec structures de canaux ou de broches fraisées ou insérées. (...)
La température de jonction Tj détermine la durée de vie et la fiabilité des semi-conducteurs. Ce calculateur vous donne Tj à partir de la puissance dissipée, de la résistance thermique totale et de la température d'entrée ou ambiante, et indique immédiatement si votre refroidissement suffit.
Toute hausse de la température de fonctionnement réduit sensiblement la durée de vie d'un semi-conducteur. En règle générale, une hausse de seulement 10 Kelvin réduit déjà de moitié la durée de vie attendue. Tant que la température de jonction reste sous la limite du fabricant, le composant fonctionne de manière fiable. Au-delà de la limite, on risque perte de performance, vieillissement prématuré et défaillance.
Facultatif. Saisissez la limite du datasheet pour voir directement votre marge de sécurité.
La température de jonction résulte de la puissance dissipée, de la résistance thermique totale entre la jonction et le fluide, et de la température ambiante ou d'entrée.
Tj = Pv · Rth + T0 La température de jonction est la somme de l'échauffement dû à la puissance dissipée et de la température de départ du fluide.
Rth = Rth(J−C) + Rth(C−B) + Rth(B−H) + Rth(H−A) La résistance thermique totale est la mise en série de toutes les transitions, de la jonction au dissipateur en passant par le boîtier et le matériau d'interface thermique.
Marge = Tj,max − Tj L'écart par rapport à la limite du datasheet indique la marge de sécurité de votre conception.
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Un IGBT dissipe 150 W. La résistance thermique totale de la jonction au fluide est de 0,25 K/W et la température d'entrée du liquide de refroidissement est de 40 °C. Le fabricant autorise une température de jonction maximale de 150 °C.
Pv = 150 W, Rth = 0,25 K/W, T0 = 40 °C Tj = 150 W · 0,25 K/W + 40 °C Tj = 37,5 K + 40 °C = 77,5 °C Marge = 150 °C − 77,5 °C = 72,5 K À 77,5 °C, la température de jonction reste nettement sous la limite. La conception offre une marge confortable de 72,5 K.
La température de jonction maximale autorisée dépend du type de semi-conducteur. Les valeurs indicatives suivantes aident à une première évaluation. Le datasheet du fabricant fait toujours foi.
| Composant / technologie | Tj,max typique | Remarque |
|---|---|---|
| Silicium (Si) standard | 150 °C | Courant pour diodes et MOSFET. |
| IGBT silicium | 150 à 175 °C | Modules modernes souvent spécifiés jusqu'à 175 °C. |
| Carbure de silicium (SiC) | 175 à 200 °C | Températures et fréquences de commutation plus élevées possibles. |
| Nitrure de gallium (GaN) | 150 à 175 °C | Forte densité de puissance sur un faible encombrement. |
| LED (haute puissance) | 125 à 150 °C | Le flux lumineux et la durée de vie baissent quand Tj augmente. |
| Processeurs / logique | 100 à 125 °C | Le throttling protège contre la surchauffe. |
Valeurs indicatives à titre d'orientation. La limite contraignante figure dans le datasheet du composant concerné.
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